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이용수23
ABSTRACT제1장 서 론 1제2장 이론적 고찰 12제1절 센서 기술과 응용 121. 센서 기술 122. 나노 반도체 기반 고감도 센서 17제2절 반도체 (Semiconductor)의 개요 19제3절 반도체 소자 221. 다이오드 (Diode)의 원리 222. 트랜지스터 (Transistor)의 원리 24가. BJT (Bipolar junction Transistor) 24나. FET (Field-effect Transistor) 26다. TFT (Thin film Transistor) 28제4절 이차원 물질 (2D material) 기반 반도체 소재 301. 그래핀 (Graphene) 312. 육방정계 질화붕소 (hexagonal boron nitride, h-BN) 323. 흑린 (Black phosphorus) 334. TMDs (Transition Metal Dichalcogenides) 34가. MoS2 (Molybdenum disulfide) 35나. MoS2 합성 방법 36제3장 실험방법 및 결과 37제1절 MoS2 박막 성장 381. 수열 합성법 (Hydrothermal)을 이용한 MoS2 합성 및 특성 분석 382. 화학기상증착법 (CVD)을 이용한 MoS2 성장 및 특성 분석 403. 수열 합성법과 화학기상증착법으로 성장 된 MoS2 특성 비교 44제2절 MoS2 기반 호흡 센서 제작 501. 수열 합성법으로 합성된 MoS2 기반 호흡 센서 제작 502. 화학기상증착법으로 성장 된 MoS2 기반 호흡 센서 제작 51제3절 MoS2 기반 호흡 센서 측정 551. 수열 합성법으로 합성된 MoS2 기반 습도 센서 특성 552. 화학기상증착법으로 성장 된 MoS2 기반 호흡 센서 특성 58제4절 Flexible한 기판에서의 호흡 센서 제작 611. 플라스틱 기판에 직접 성장을 위한 저온 공정 612. 박막 이송 (Transfer)을 이용한 Flexible 센서구현 723. Flexible 기판에서의 MoS2 기반 호흡 센서 측정 73제5절 제작된 호흡 센서 특성 비교 76제4장 결론 77[참고문헌] 78
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