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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

최재훈 (한양대학교, 한양대학교 대학원)

지도교수
정진욱
발행연도
2022
저작권
한양대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수3

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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본 논문에서는 ICP(Inductively Coupled Plasma)에 삽입된 평판형 랑뮤어 프로브 (Planar Langmuir Probe) 탐침에 여러 두께의 유전체를 부착하고 프로브에 삼중 고주파수를 인가하여 얻은 전류를 통해 유전체의 캐패시턴스(C_d)를 측정하고 두께를 계산하였다.
기존의 플라즈마에서 저주파수를 사용한 유전체 두께 측정 연구는 수 마이크로미터 정도의 박막 두께가 한계였다. 그 이유는 저항성 쉬스 모델과 30 kHz이하의 저주파수를 사용했기 때문이다. 저항성 쉬스 모델을 사용한 유전체 두께 측정은 쉬스 캐패시턴스를 고려하지 않았기 때문에 측정되는 유전체의 두께가 탐침 인가 주파수와 RF 인가 전력에 따라 달라지는 문제가 있다. 또한 두꺼운 유전체의 캐패시턴스는 매우 작기 때문에 저주파수를 사용하게 되면 높은 유전체 임피던스로 인해 측정되는 전류가 작아지고 정확도가 낮아진다.
본 연구에서는 기존보다 높은 주파수와 그에 따라 쉬스 캐패시턴스(C_s)를 고려한 등가회로 모델을 사용했고, 이를 통해 두꺼운 유전체의 캐패시턴스 측정했다. 캐패시턴스로부터 두께를 계산해야 하는데 일반적으로 알고 있는 캐패시턴스 식은 지름에 비해 두께가 매우 작을 때 사용이 가능하므로 지금의 실험 조건에서는 적용할 수 없다. 따라서 프린징 효과 (fringing effect)를 고려한 피팅 캐패시턴스를 통해 유전체의 두께를 계산하였다. 또한 유전체에 의한 고조파 전류의 감소를 탐침의 전압과 전류의 위상차를 이용해 보상해주고 이온 밀도를 측정하였다. 결과적으로 플라즈마 밀도와 관계없이 1 mm~ 5 mm의 두꺼운 유전체의 두께를 구할 수 있었고 두꺼운 유전체가 부착된 상태로 이온 밀도를 측정했다. 이를 통해 차후 플라즈마에 탐침을 직접 삽입하지 않고 쿼츠나 세라믹 등의 유전체를 통한 플라즈마 진단과 실시간 두께 모니터링을 통한 에지 링 식각 높이를 보상하는 등에 활용이 되기를 기대한다.

목차

제1 장 서론 1
제2 장 배경 이론 3
2.1 플라즈마 3
2.1.1플라즈마 소스 9
2.1.2플라즈마 쉬스 13
2.2 플라즈마 진단법 27
2.2.1 단일 랑뮤어 탐침법 28
2.2.2 부유 고조화 탐침법 31
제3 장 유전체 두께 측정 방법 34
3.1 캐패시턴스 측정 방법 34
3.2 캐패시터의 프린징 효과 38
3.3 실험 구성 40
제4 장 실험 결과 및 고찰 42
4.1 유전체 캐패시턴스 측정 42
4.2 캐패시턴스 식에 따른 두께 측정 43
4.2.1 무한 평행 평판 캐패시턴스 43
4.2.2 프린징 효과를 고려한 캐패시턴스 45
4.3 피팅 함수를 이용한 유전체 두께 측정 47
4.3.1 캐패시턴스 피팅 47
4.3.2 피팅 캐패시턴스를 이용한 두께 측정 49
4.3.3 내삽과 외삽을 이용한 유전체 두께 예측 51
4.4 유전체가 부착된 상태에서 이온 밀도 측정 53
4.4.1 이온 밀도 측정 53
4.4.2 위상차를 이용한 밀도 보정 56
제5 장 결론 59
참 고 문 헌 60
Abstract 63

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