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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김래영
- 발행연도
- 2020
- 저작권
- 한양대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수1
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2020
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본 논문에서는 GaN HEMT의 안정적 구동을 위한 기생 인덕턴스 저감 설계 기법이 제안된다. 기생 인덕턴스 저감을 위해 GaN HEMT의 패키지에 영향을 받지 않는 다중 루프가 적용 된 수직 격자 루프 구조를 제안한다. 제안 된 수직 격자 루프 구조는 기준이 되는 루프를 선정하고 기준 루프와 동일한 루프를 층층이 쌓아 설계한다. 설계 시 인접한 전류 경로의 전류 방향을 반대로 설계하여 자속 상쇄를 증가시켜 보다 많은 기생 인덕턴스를 저감한다. 본 논문에서는 제안한 수직 격자 루프 구조의 기생 인덕턴스의 저감 기법의 유효성을 시뮬레이션과 실험으로 검증한다.
목차
제 1 장 서론 11.1 연구배경 및 필요성 11.2 연구 내용 및 구성 6제 2 장 제안된 기생 인덕턴스 저감 구조 72.1 기본 이론 72.2 제안된 수직 격자 루프 구조 132.3 설계 예 19제 3 장 성능 검증 253.1 시뮬레이션 검증 253.2 실험 검증 31제 4 장 결론 40References 41ABSTRACT 43
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