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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

김용진 (한국산업기술대학교, 한국산업기술대학교 일반대학원)

지도교수
이성남
발행연도
2019
저작권
한국산업기술대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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본 논문에서는 V-형태가 구조적으로 일반다이오드와 다른지 확인을 하였고, 발광다이오드의 누설전류에 미치는 영향과 그에 따라 광학적 특성의 차이가 있는지 확인을 해보았다. V-형태의 형성은 일반적으로 GaN 성장되는 면의 성장 속도 차이에 의하여 표면결함이 생기는 것으로 보고 있으며 다이오드의 특성이 일반 다이오드와는 상이한 점이 있다. 우선 표면결함으로의 전자 몰림 현상으로 인하여 누설전류가 감소되며 역방향 바이어스 인가 시 점 발광 현상을 볼 수가 있다. V-형태의 단면을 보았을 때 V-형태 경사면의 단면은 InGaN 다중양자우물이 휘어지는 것을 확인할 수 있었고 일반적 다이오드의 단면과는 달리 얇게 형성되어있었다.
또한, 역 바이어스 인가 시 중심부부터 발광하는 모습을 볼 수가 있었는데 이는 V-형태의 InGaN다중양자우물이 뭉쳐 있는 중심부에서 표면결함으로 인한 누설전류가 발생함에 따라 발광하는 모습이 보인 것으로 확인된다. 온도 변화에 따라 V-형태를 확인한바 온도가 증가함에 따라 누설전류는 증가하게 되었고, 측정된 누설전류로 활성화 에너지를 구한결과 V-형태의 크기에 따라 누설전류가 감소됨을 확인 할 수가 있었다. 이를 뒷받침하기위해 Poole-Frenkel 장벽을 계산하여 비교한바 V-형태의 크기가 증가함에 따라 Poole-Frenkel 장벽은 증가하여 전자들이 지나가지 못하게 되므로 누설전류가 감소의 원인을 확인하였다.

목차

목차
표 목차
그림 목차
국문 요약
서론 ·························································· 11
본론 ·························································· 13
제 1장 이론적 배경 및 연구 배경
1-1. LED에서의 V-형태 발견 및 역방향에서의 발광 ············· 13
1-2. V-형태 가 LED에 미치는 영향 ··························· 15
제 2장 연구 방법 실험 장비
2-1. MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)··········· 16
2-2. OM(Optical Microscope)···································· 17
2-3. TEM(Tunneling Electro Microscope)························· 18
2-4. Raman spectroscopy······································· 20
2-5. Probe station············································· 21
제 3장 연구 결과
3-1. 역방향 바이어스 인가 시 V-형태에서의 큰 점 발광 ········ 23
3-2. TEM을 활용한 V-형태의 구조적 특성 확인················· 25
3-3. 라만 분광기를 활용한 v-형태의 특성 분석················· 26
3-4. 온도 변화에 따른 V-형태의 전기적 특성 및 광학적 특성 확인 ······························································· 27
3-5. V-형태의 크기에 따른 전기적 특성 및 광학적 특성 확인···· 32
결론··························································· 38
참고문현······················································· 39
연구성과······················································· 40
abstract························································ 42

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