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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

채강호 (영남대학교, 영남대학교 대학원)

지도교수
정재학
발행연도
2019
저작권
영남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수1

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

초록· 키워드

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In producing monocrystalline silicon ingots, most of them are produced through the Czochralski process, and thus they are trying to produce low cost and high quality ingots. In order to reduce costs in the Czochralski process, this study studied the optimal water-cooled tube design and at the same time confirmed the quality of the ingot with Von mises stress and V (tensile speed pull) / Gn (crystallization temperature gradient). In this study, CG-Sim software package was used. As a result, process conditions that can produce high-quality ingots with lower power were derived, and by laying the groundwork for automating the dipping process depending on man-skill, It is possible to produce an even and stable ingot.

목차

1. 서 론 1
1.1. 연구의 필요성 1
1.2. 연구의 목적 4
2. 이론적 배경 5
2.1. 실리콘의 결정구조 및 물리적 특성 5
2.2. 초크랄스키법을 통한 실리콘 잉곳의 성장 7
2.3. 실리콘 잉곳 내 산소 유입 및 거동 10
2.4. 실리콘 잉곳에서의 결함의 종류 13
2.4.1. 전위(Dislocation) 14
2.4.2. 미소 결함(Micro defect) 14
2.4.3. 소용돌이 결함(Swirl defect) 15
2.4.4. 열응력에 의한 전위 결함 16
2.4.5. 산화적층결함(Oxidation Induced Stacking Fault) 16
2.5. 무결정결함영역 17
2.6. 공정 자동화를 위한 Machine Learning 19
2.6.1. 지도 학습(Supervised Learning) 20
2.6.2. 비 지도 학습(Unsupervised Learning) 21
3. 이론적 계산 22
3.1. 지배방정식 22
3.2. 무차원수 23
3.2.1. Prandtl number 25
3.2.2. Rayleigh number 25
3.2.3. Reynolds number 26
3.2.4. Grashof number 26
3.2.5. Peclet number 27
3.2.6. Marangoni number 27
3.2.7. Von.mises Stress 28
4. 시뮬레이션 연구 28
4.1. 유한요소해석의 필요성 28
4.2. Crystal Growth Simulation 30
4.3. 초크랄스키 공정의 최적화 31
4.4. Auto Dipping System 알고리즘 개발 33
4.5. 연구 결과 35
4.5.1. 시뮬레이션을 통한 공정 최적화 36
4.5.2. Dipping 최적 이미지 도출 프로세스 45
5. 결론 50
참고문헌 52
Abstract 55

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