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이용수1
1. 서 론 11.1. 연구의 필요성 11.2. 연구의 목적 42. 이론적 배경 52.1. 실리콘의 결정구조 및 물리적 특성 52.2. 초크랄스키법을 통한 실리콘 잉곳의 성장 72.3. 실리콘 잉곳 내 산소 유입 및 거동 102.4. 실리콘 잉곳에서의 결함의 종류 132.4.1. 전위(Dislocation) 142.4.2. 미소 결함(Micro defect) 142.4.3. 소용돌이 결함(Swirl defect) 152.4.4. 열응력에 의한 전위 결함 162.4.5. 산화적층결함(Oxidation Induced Stacking Fault) 162.5. 무결정결함영역 172.6. 공정 자동화를 위한 Machine Learning 192.6.1. 지도 학습(Supervised Learning) 202.6.2. 비 지도 학습(Unsupervised Learning) 213. 이론적 계산 223.1. 지배방정식 223.2. 무차원수 233.2.1. Prandtl number 253.2.2. Rayleigh number 253.2.3. Reynolds number 263.2.4. Grashof number 263.2.5. Peclet number 273.2.6. Marangoni number 273.2.7. Von.mises Stress 284. 시뮬레이션 연구 284.1. 유한요소해석의 필요성 284.2. Crystal Growth Simulation 304.3. 초크랄스키 공정의 최적화 314.4. Auto Dipping System 알고리즘 개발 334.5. 연구 결과 354.5.1. 시뮬레이션을 통한 공정 최적화 364.5.2. Dipping 최적 이미지 도출 프로세스 455. 결론 50참고문헌 52Abstract 55
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