개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 최병덕
- 발행연도
- 2018
- 저작권
- 성균관대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 후면조사형 CMOS 이미지 센서의 반사방지막에 적용하기 위해 AlF3의 기본적인 전기적 특성, 그리고 온도 및 전압 스트레스에 따른 전기적 특성 변화를 분석했다. 이를 위해 AlF3를 절연체로 갖는 MIS 커패시터를 제작하였고, 15, 20, 25, 30 nm 두께의 AlF3를 갖는 MIS 커패시터의 C-V 관계를 통해 AlF3는 "6.5×" ?"10" ?^"11" " " ?"cm" ?^"-2" 의 음의 고정 전하를 갖는 것을 확인했다. 또한, AlF3와 Si 사이의 계면에 약 "4×" ?"10" ?^"11" " " ?"cm" ?^"-2" 의 트랩이 존재했다. 온도 스트레스 후 음의 고정 전하는 "3.44×" ?"10" ?^"11" " " ?"cm" ?^"-2" 까지 감소했으며 이는 AlF3의 구조적 결함의 감소를 나타낸다. 이후 전압 스트레스를 인가하여, 온도 스트레스를 받은 소자의 경우 VFB의 변화가 감소한 것을 확인했다. 따라서, AlF3는 음의 전하를 갖고 있기 때문에 CIS의 반사방지막으로 사용하여 포토다이오드 표면에 정공축적층을 형성할 수 있으며, 양질의 막과 보다 많은 음의 전하를 확보하기 위해 최적화된 열처리 공정이 요구된다.
목차
제1장 서론 1제2장 관련 연구와 연구 동기 52.1. 후면조사 CMOS 이미지센서 52.2. 암전류 72.3. 정공 축적층 82.3.1. 정공 주입 방법 92.3.2. 음의 고정 전하 방법 92.4. 연구 동기 11제3장 분석과 실험 방법 133.1. 전기적 특성 분석 133.1.1. 금속과 반도체 사이의 일함수 차이 173.1.2. 계면 트랩 농도 193.1.3. 고정 전하 203.1.4. 이동 전하 & 절연체 내부에 트랩된 전하 223.2. 측정 방법 233.3. MIS 커패시터 제작 23제4장 결과 및 분석 254.1. 기본적인 C-V 특성 254.2. 스트레스 후 C-V 특성 324.2.1. 온도 스트레스 324.2.2. 전압 스트레스 35제5장 결론 39참고 문헌 40Abstract 44
최근 본 자료
댓글(0)
0