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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 안호균, 윤태성
- 발행연도
- 2018
- 저작권
- 창원대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수5
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세계 각지에서 전력 부족이 중대한 과제로 부각되고 있으며, 에너지 절약 기술과 신재생 에너지 도입, 스마트 그리드의 적용 등 다양한 대책들이 마련되고 있다. 에너지 절약 기술 중 탈 Si 전력반도체의 도입도 그 일환의 하나로 기존의 Si 기반의 전력반도체로는 그 물성적 한계로 인하여 더 이상의 성능 향상을 기대하기는 어렵다.
GaN 전력반도체 SiC 전력반도체와 더불어 차세대 전력반도체의 대표 주자로 기존의 Si 전력반도체를 대체할 것으로 주목받고 있다. GaN 전력반도체는 Si 전력반도체와 비교하여 뛰어난 물성적 특성을 지니고 있기에 뛰어난 성능 향상을 보일 것으로 기대한다.
따라서 본 논문에서는 GaN MOSFET를 이용하여 BLDC 모터 드라이버를 설계 및 제작하고 그 구동을 확인하고 검증하였다.
GaN 전력반도체 SiC 전력반도체와 더불어 차세대 전력반도체의 대표 주자로 기존의 Si 전력반도체를 대체할 것으로 주목받고 있다. GaN 전력반도체는 Si 전력반도체와 비교하여 뛰어난 물성적 특성을 지니고 있기에 뛰어난 성능 향상을 보일 것으로 기대한다.
따라서 본 논문에서는 GaN MOSFET를 이용하여 BLDC 모터 드라이버를 설계 및 제작하고 그 구동을 확인하고 검증하였다.
목차
1. 서론 12. GaN MOSFET 42.1 GaN의 물성 42.2 GaN MOSFET의 특성 82.3 GaN MOSFET 구동 기술 122.3 GaN MOSFET의 개발 현황 및 전망 143. BLDC 모터 드라이버 183.1 동작 원리 183.2 센서리스 BLDC 모터 드라이버 294. 시스템 설계 344.1 시스템 설계 및 제작 344.2 실험 구성 385. 실험 결과 406. 결 론 42참고 문헌 43ABSTRACT & KEYWORDS 47
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