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이용수5
2017
목 차목 차 i그림 목차 ⅲ표 목차 ⅴ1. 서 론 11.1. 연구의 배경 및 필요성 12. 이론적 배경 32.1. 평판대평판 전극 (Plate-to-Plate type Electrode) 32.1.1. 로고스키 전극(Rogowski type Electrode) 42.2. 봉대평판 전극 (Rod-to-Plate type Electrode) 72.3. 봉대봉 전극 (Rod-to-Rod type Electrode) 92.4. 반도체 소자의 오동작 확률 및 파괴 확률 정의 112.5. 반도체 소자의 오동작 정의 133. 실험장치 및 방법 153.1. 전극의 구조와 스마트폰 시료의 종류 153.1.1. 전극의 구조 및 종류 153.1.2. 스마트폰 시료의 종류 및 규격 163.2. 고전계에 의한 스마트폰 오동작 특성 실험 174. 전기적 특성 및 전계 시뮬레이션 214.1. 직류 고전계의 전기적 특성 (DC) 214.1.1. 평판대평판 전극구조 214.1.2. 봉대평판 전극구조 (Positive Corona) 224.1.3. 봉대평판 전극구조 (Negative Corona) 244.1.4. 봉대봉 전극구조 264.2. 교류 고전계의 전기적 특성(AC) 284.2.1. 평판대평판 전극구조(AC) 284.2.2. 봉대평판 전극구조(AC) 304.2.3. 봉대봉 전극구조(AC) 374.3. 전계 시뮬레이션 444.3.1. 교류 전계 시뮬레이션 445. 스마트폰의 오동작 특성 495.1. 직류 고전계에서의 오동작 실험 (DC) 495.1.1. 갤럭시 S3의 오동작 실험 495.1.2. 갤럭시 S4 미니의 오동작 실험 515.1.3. 갤럭시 S5의 오동작 실험 535.1.4. 아이폰 5S의 오동작 실험 545.1.5 아이폰 6+의 오동작실험 565.2. 교류 고전계에서의 오동작 실험 (AC) 585.2.1. 갤럭시 노트2의 오동작 실험 585.2.2. 갤럭시 S4 미니의 오동작 실험 625.2.3. 갤럭시 S5의 오동작 실험 685.2.4. 아이폰 5S, 아이폰 6+의 오동작 실험 716. 결 론 72참고문헌 74Abstract 78
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