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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김문정
- 발행연도
- 2017
- 저작권
- 공주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수20
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본 논문에서는 인쇄회로기판의 Reference Plane에 Mesh를 형성함에 따라 나타나는 신호 무결성 및 전원 무결성 특성에 대해 분석을 수행하였다. Package Level과 Module Level에 Meshed Reference Plane을 적용하였으며 Mesh의 크기는 시스템의 동작주파수와 파장을 고려하여 설계하였다. 신호 무결성 해석에 대한 분석을 수행하기 위해 주파수영역에서 신호전달 특성을 판단할 수 있는 S-parameter와 시간영역에서 신호전달 특성을 판단할 수 있는 Eyediagram을 사용하였다. 전원 무결성 분석은 인쇄회로기판의 공진특성과 전원 임피던스를 확인할 수 있는 Z-parameter를 사용하여 수행하였다. 인쇄회로기판의 Reference Plane에 Mesh를 형성하면 신호선의 특성임피던스가 변동된다. Package Level의 경우 Mesh의 크기가 커질수록 신호전달 특성이 개선됨을 확인하였으며 Module Level의 경우 Mesh의 크기가 1mm × 1mm인 Meshed Plane의 신호전달 특성이 가장 우수하였다. Mesh를 생성함에 따라 신호선의 임피던스 정합이 이루어 진 것이다. 또한 DDR4 SODIMM에 Meshed Reference Plane을 적용해보았다. DDR4 SODIMM의 Address 신호선을 대상으로 분석을 수행하였으며 Meshed Plane에 의해 신호전달 특성이 악화된다. 임피던스 정합이 되어있는 Address 신호선에 Meshed Reference Plan을 적용하여 임피던스 부정합이 발생하였기 때문이다. 또한 Reference Plane에 Mesh를 형성하더라도 전원 무결성 특성은 Mesh를 생성하지 않은 Solid plane과 유사한 특성을 확보하였다.
목차
제 1 장 서 론 1제 2 장 이론적 배경 32.1. 신호 무결성 31) 주파수영역 분석 42) 시간영역 분석 62.2. 전원 무결성 81) 공진 82) 임피던스 10제 3 장 Meshed Reference Plane 영향에 대한 Package 분석 133.1. Package Model 소개 133.2. 해석대상 143.3. 해석조건 및 방법 151) Meshed Reference Plane 설정 152) 시뮬레이션 방법 173.4. 분석결과 191) 신호 무결성 분석결과 192) 전원 무결성 분석결과 24제 4 장 Meshed Reference Plane 영향에 대한 Module 분석 264.1. Module 및 해석대상 소개 264.2. 해석조건 및 방법 274.3. 분석결과 29제 5 장 Meshed Reference Plane 영향에 대한 DDR4 SODIMM 분석 335.1. DDR4 SODIMM 소개 335.2. 해석대상 341) DQ 신호선 342) Address 신호선 355.3. 해석조건 및 방법 361) Meshed Reference Plane 설정 362) 시뮬레이션 방법 385.4. 분석결과 421) DQ 신호선의 신호 무결성 분석결과 422) Address 신호선의 신호 무결성 분석결과 463) Meshed Reference Plane의 전원 무결성 분석결과 51제 6 장 결론 54참고문헌 56영문초록 58국문초록 59
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