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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

김진균 (충북대학교, 충북대학교 대학원)

지도교수
장건익
발행연도
2016
저작권
충북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

초록· 키워드

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Among many commercial applications using TCO material, touch screens in particular, are becoming increasingly popular because of their ease and versatility of operation as well as their cost effectiveness. However, when the touch sensor panel in touch screens composed with TCO and adhesive is used in a bright environment, the light reflected from interfaces can give rise to the appearance of fringes on the touch sensor panel, which can be visually distracting. It was already known that the presence of an index matching layer can reduce the amount of reflection between the adhesive-ITO interface.
In this study, a hybrid structure of SnO2/Ag/SnO2 film with SiO2 and Nb2O5 layer has been designed. SiO2 (n = 1.46) and Nb2O5 (n = 2.34) with low and high refractive indices, which have been the most successful application in electronic industry as electrical contact, were selected as index matching materials. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 and SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 multi-layered thin films were initially designed and deposited on glass substrate by RF/DC magnetron sputtering system. In order to estimate and compare with the experimental results, the simulation program, EMP (Essential Macleod Program) was adopted. EMP results suggested that the multi-layered thin film of SnO2(45nm)/Ag(10nm) /Nb2O5(10nm)/SiO2(10nm)/SnO2(30nm), SnO2(40nm)/Ag(10nm)/SnO2(30nm)/ SiO2(10nm)/Nb2O5(10nm) exhibited high transmittance of 89.7 and 90.1 % at 550 nm, whereas the experimentally measured transmittance showed 85.8 and 85.1 %, somewhat lower than simulation data, respectively.
The lowest Rs and ρ value were about 5.81Ω/sq, 3.21Ω/sq and 5.81×10-5Ω·cm, 3.21×10-5Ω·cm, acquired at the multi-layers with the structure of SnO2(45nm)/Ag(10nm)/Nb2O5(10nm)/SiO2(10nm)/SnO2(30nm) and SnO2(40n m)/Ag(10nm)/SnO2(30nm)/SiO2(10nm)/Nb2O5(10nm).
Reflectivities of SnO2(45nm)/Ag(10nm)/Nb2O5(10nm)/SiO2(10nm)/SnO2(30n m) and SnO2(40nm)/Ag(10nm)/SnO2(30nm)/SiO2(10nm)/Nb2O5(10nm) multi layer film at 550 nm of visible range, were 10.6% and 10.6% measured on the top of multi-layer film stackup, respectively. However, reflectivities with IM layer only were 11.3% and 11.3%, suggesting that reflectivity variation was approximately within 1%. From the L*a*b* colour space represented by reflectivity spectra, it was found that the lightness (+L*) decreased from 91.5 to 89,9 and 91.2 to 89.4, whereas the yellowness (+b*) increased from 1.24 to 1.97 and 0.77 to 1.47, with increasing SnO2 top layer thickness in multi-layer film.
The obtained results show that SnO2/Ag/SnO2 multilayer films with Nb2O5 and SiO2 index matching layers can be possibly used as transparent multilayer electrode for display applications.

목차

Ⅰ. 서 론 1
1. 연구배경 및 목적 1
Ⅱ. 이론적 배경 7
1. SnO2의 특성 7
1-1. SnO2의 전기적 특성 7
1) Oxygen defect 9
2) Sn의 Interstitial Sn 10
2. TCO/Metal/TCO 다층투명전극 11
2-1. 단일박막의 광학적 원리 14
2-2 다층구조의 광학적 원리 17
2-3 전도성 코팅의 전기적 성질 22
3. 투명 전도성 코팅의 성능 24
4. CEI Lab 색 공간 25
Ⅲ. 실험 방법 27
1. EMP 시뮬레이션을 이용한 다층박막의 설계 27
2. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5, SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층박막의 제조 30
Ⅳ. 결과 및 고찰 33
1. 단층막 재질의 굴절률과 소멸계수 33
2. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막 35
2-1. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 결정성 35
2-2. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 투과율 변화 37
2-3. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 면저항 및 성능지수 평가 39
2-4. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 표면 거칠기 특성 41
2-5. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 계면에서의 성분 및 구조 분석 43
2-6. SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층막의 시인성 개선 평가 45
3. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막 51
3-1. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 결정성 51
3-2. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 투과율 변화 53
3-3. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 면저항 및 성능지수 평가 55
3-4. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 표면 거칠기 특성 57
3-5. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 계면에서의 성분 및 구조 분석 59
3-6. SnO2/Ag/SnO2/SiO2/Nb2O5 다층막의 시인성 개선 평가 62
Ⅴ. 연구 결론 67
참고문헌 70
감사의글 73

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