목차

I. 서론 1
1.1 두 공진모드 공진기법의 필요성과 이점 1
1.1.1. 두 공진모드 공진기법의 필요성 1
1.1.2. 두 공진모드 공진기법의 이점 및 개선점 1
1.2 실리콘의 특성 측정 및 중성자 조사의 배경 3
1.2.1. 고비저항 실리콘의 특성 측정의 배경 3
1.2.2. 고비저항 실리콘의 중성자 조사의 배경 4
II. 초전도 박막의 고유표면임피던스 측정 7
2.1 서론 7
2.1.1. 고온초전도체의 응용과 microwave 특성 측정 7
2.1.2. 두 공진모드 공진기 측정법 8
2.1.3. 고유표면임피던스 측정의 국제표준 9
2.2 이론 11
2.2.1. 두 공진모드 공진기 측정법 11
2.2.2. 유전체 크기의 결정 11
2.2.3. 고유표면저항과 고유표면리액턴스의 불확도 16
2.2.4. σ1과 σ2의 불확도 17
2.2.5. RSeff 와 XSeff의 불확도 18
2.3 실험방법 20
2.3.1. 측정 장비 및 시편 준비 20
2.3.2. 유효표면저항 측정 23
2.3.3. 침투깊이 측정 26
2.3.4. YBCO의 표면임피던스 분석 29
2.4 결과분석 31
2.5 결론 41
III. Undoped 실리콘 crystal rod 44
3.1 서론 44
3.1.1. Microwave device용 소재로서의 실리콘 44
3.1.2. 고비저항의 이점 44
3.1.3. 고비저항 실리콘 측정의 어려움 45
3.1.4. 유전체 공진기법의 이점 46
3.2 실험 방법 47
3.2.1. 시편 준비 47
3.2.2. 실리콘 유전체 공진기를 이용한 고주파 손실 측정 48
3.2.3. 실리콘-루타일 복합 공진기를 이용한 고주파 손실 측정 54
3.2.4. 실리콘의 비저항 측정 57
3.3 결과 분석 58
3.3.1. 측정된 고주파 손실 분석 58
3.3.2. 측정된 고주파 손실로부터 구한 비저항 62
3.4 결론 65
IV. Neutron irradiated undoped 실리콘 단결정 69
4.1 서론 69
4.1.1. 저온에서 실리콘 및 실리콘 화합물의 응용 69
4.1.2. 저온에서 실리콘의 마이크로파 특성 69
4.1.3. 저온에서 실리콘의 특성 개선 70
4.2 실험방법 71
4.2.1. 시편 준비 71
4.2.2. 열중성자의 영향 73
4.2.3. 고속중성자의 영향 81
4.2.4. 일반적인 중성자 조사 86
4.3 결과분석 90
4.3.1. 하나로 IP5에서 조사 된 실리콘의 고주파 손실 변화 90
4.3.2. 하나로 NAA1에서 조사 된 실리콘의 고주파 손실 변화 98
4.3.3. IP5와 NAA1조사공에서 조사된 실리콘 특성 비교 102
4.3.4. 하나로 NAA1 1st에서 조사된 실리콘 특성 변화 106
4.4 결론 116
V. 열처리된 undoped Si의 특성 118
5.1 실험방법 118
5.1.1. 시편 준비 및 측정 방법 118
5.2 결과분석 120
5.2.1. 열처리 후 실리콘의 특성 변화 120
5.2.2. 열처리 및 중성자에 의한 실리콘의 특성 변화 비교 125
VI. 중성자 조사된 SiC 결정체의 특성 131
6.1 실험방법 131
6.1.1. 시편 준비 및 측정 방법 131
6.2 결과분석 132
6.2.1. 중성자 조사된 SiC의 특성 132
VII. MgB2의 고유표면임피던스와 전기전도도 139
7.1 서론 139
7.1.1. MgB2의 특성과 전기전도도 측정 139
7.1.2. 선행연구 결과 141
7.1.3. Two-band 모형을 이용한 마이크로파 전도도 해석 및 각 band의 기여도 결정 145
7.2 실험 방법 146
7.2.1. 시편 준비 146
7.2.2. 측정 방법 146
7.2.3. 각 band에서의 준입자의 산란률 차이가 MgB2의 마이크로파 전도도의 온도 의존성에 미치는 영향 148
7.3 결과분석 149
7.4 요약 158
VIII. 요약 159
참고문헌 162
국문초록 176
부록 178