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목 차목 차 ⅠList of Table ⅢList of Figure Ⅳ국문요약 ⅥⅠ. 서론 1Ⅱ. 이론적 배경 31. CVD다이아몬드 합성 원리 32. 다이아몬드 핵생성 밀도증가 72-1 Bias Enhanced Nucleation 72-2 Seeding 73. SiC Ball 증착시 문제점 83-1. 플라즈마 집중현상 8Ⅲ. 실험방법 101. 기판 전처리 132. 나노결정질 다이아몬드 박막 증착 142-1. 실험 장치 142-2. 증착 공정 163. 다이아몬드 박막 특성 분석 173-1. XRD 173-2. FESEM 173-3. FIB 17 3-3. Raman Spectroscopy 183-3. Alpha Step Profile test 18Ⅳ. 결과 및 고찰 191. SiC 위에서 NCD 성장 거동 192. 마찰계수 내마모성 평가 262-1. 저하중 조건(3N) 262-2. 저하중 조건(5N) 312-2. 고하중 조건(10,20N) 34Ⅴ. 결론 36참고문헌 40ABSTRACT 41
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