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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 오동철
- 발행연도
- 2016
- 저작권
- 호서대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수28
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현재 화합물반도체는 조명, 통신, 전력, 자동차, 항공우주, 군수, 에너지등의 다양한 분야에서 활용이 되고 있으며, 이에 따른 시장규모도 성장하는 추세를 나타내고 있다. 시장규모가 확대됨에 따라 고효율 화합물반도체소자에 대한 수요가 증가 하고 있으며 이를 구현하기 위한 고품질 박막의 필요성이 제기되고 있다. 현재 LED와 투명전도막으로 사용되는 GaN와 ITO를 대체할 물질로 ZnO가 제시되고 있으며 본 연구에서는 ZnO계 산화물 반도체의 기술적 현황과 전망에 대하여 살펴보고 Si과 GaN기판 상에서 공정변수 전반에 대하여 ZnO의 결정성에 미치는 전반적인 데이터를 확보하였다. RF-sputtering에 의해 Si과 GaN 성장한 ZnO는 성장조건 전반에서 textured growth된 ZnO박막이 형성 되는 것이 관측 되었다. Si(001)기판위에 성장한 ZnO박막의 최적의 성장조건은 플라즈마 파워 100W, 공정가스압력 10 mTorr, 성장온도 500oC, 공정가스비율 O2/Ar+O2 80%, ZnO 저온버퍼 상온 2.5분 산소분위기 10 mTorr에서 열처리 후 성장한 박막이 가장 좋은 결과를 나타내었다. GaN기판위에 성장한 ZnO는 300oC이상의 성장온도에서 ZnO단결정이 형성되고 3.0 eV에서의 지배적인 광 특성이 나타나는 것이 확인되었다.
목차
Ⅰ. 서론 11.1. Zinc oxide란? 11.2. 화합물반도체의 시장과 전망 31.3. 현재의 ZnO 테크놀러지의 상황과 평가 51.4. 본 연구의 목적 7Ⅱ. 실험방법 102.1. Sputtering이란? 10가. 플라즈마 10나. Sputtering의 정의와 종류 10다. RF-Sputter의 구조와 원리 및 표면반응 112.2. 시편제작 및 측정평가 14Ⅲ. 결과 및 고찰 163.1. Si기판 위에서 성장한 ZnO박막의 결과 및 고찰 16가. ZnO박막의 플라즈마 파워와 공정가스압력 의존성 16나. ZnO박막의 성장온도 의존성 21다. ZnO박막의 공정가스비율 의존성 25라. ZnO박막의 저온버퍼 및 열처리 의존성 29마. ZnO박막의 SIMS depth profiling 32바. Si기판위에 성장한 ZnO박막 결론 343.2. GaN기판 위에서 성장한 ZnO박막의 결과 및 고찰 36가. Si기판과 GaN기판위에 성장한 ZnO박막 36나. ZnO박막의 성장온도 의존성 41다. ZnO박막의 성장 시간 의존성 47라. GaN 기판위에서 성장한 ZnO박막 결론 53Ⅳ. 결론 54참고문헌 56영문초록 61
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