지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김진수
- 발행연도
- 2015
- 저작권
- 전북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수2
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
본 연구에서는 Si(111) 기판에 성장온도 및 InN 증착량 변화에 따른 InN 양자점 (Quantum Dot) 핵 생성 (Nucleation) 특성에 대해 논의한다. InN 양자점은 Nitrogen-Plasma 소스를 장착한 분자선증착기 (MBE)를 이용하여 0.103 A/s의 성장속도로 성장하였다. 성장온도를 700 ℃에서 300 ℃로 변환하면서 형성한 시료를 전자주사현미경 (FE-SEM) 이미지를 통해 분석한 결과, lnN 양자점의 공간밀도는 9.4×107/cm2부터 1.1×1011/cm2까지 나타났다. 가장 높은 공간밀도를 갖는 경우, 기존에 보고된 값 (7.7×1010/cm2)보다 상대적으로 높은 값을 갖는다. InN 증착량을 31, 93, 186, 372 및 558 A으로 각각 변화시켜 형성하여 양자점의 초기 성장거동을 분석하였다. InN 증착량이 증가함에 따라 양자점의 공간밀도는 4.4×1010/cm2에 1.1×1011/cm2까지 증가하였다. 일반적으로 InP 및 GaAs 기판을 기반으로 한 In(Ga)As 양자점은 증착량이 증가함에 따라 크기는 증가하고 밀도는 감소하는 경향을 보이며, 이는 같은 상 (Phase)을 갖는 물질들끼리 결합하려는 경향이 있기 때문이다. 본 실험에서는 In(Ga)As 양자점 결과와 다른 경향을 보이고 있는데, 이는 Si(111) 기판과 InN 사이의 격자 부정합 (Lattice-mismatch)이 상대적으로 크기 때문에 InN 양자점이 커지는 대신 새로운 핵 생성 메커니즘에 의해 InN 양자점이 추가로 생성된 것으로 설명할 수 있다. 이러한 InN 증착량에 따른 InN 양자점 성장거동을 표면에너지를 포함한 이론적인 모델을 통해 논의하고자 한다.
목차
Chapter 1. 서론 1Chapter 2. 이론적 배경 92.1. 양자점 92.2. 양자구속효과 152.3. 양자점 성장 기술 18Chapter 3. 실험방법 213.1. 분자선 증착기를 이용한 InN 양자점 성장방법 213.2. 주사전자현미경 (SEM) 263.3. 광전자분광기 (XPS) 283.4. 투과전자현미경 (TEM) 30Chapter 4. 결과 및 고찰 324.1. 성장온도 변화에 따른 InN 양자점 핵 생성 특성 324.2. InN 증착량 변화에 따른 InN 양자점 핵 생성 특성 42Chapter 5. 결론 48References 51
최근 본 자료
댓글(0)
0