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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 권오명
- 발행연도
- 2015
- 저작권
- 고려대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
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Performance degradation resulting from efficiency droop during high-power operation is a critical problem in the development of high-efficiency light-emitting diodes (LEDs). In order to resolve the efficiency droop and increase the external quantum efficiency of LEDs, the droop’s origin should be identified first. To experimentally investigate the cause of efficiency droop, we used null-point scanning thermal microscopy to quantitatively profile the temperature distribution on the cross section of the epi-layers of an operating GaN-based vertical LED with nanoscale spatial resolution at four different current densities. The movement of temperature peak to the p-GaN side with the increase of the current density suggests that the heat generation by leakage current becomes relatively more intense than that by Auger recombination. Hence, we suspect that leakage current becomes the more dominant cause of the droop problem with the increase of the current density.
목차
ABSTRACTList of Figures1. 서론................................................................................................. 11.1 연구 배경 및 동향................................................................ 11.2 연구 목적 및 내용................................................................ 32. 계측 원리........................................................................................ 52.1 이중주사법과 NP SThM의 원리......................................... 72.2 NP SThM을 통한 빛에 의한 영향 제거............................ 93. 시편 준비 및 실험 구성............................................................. 133.1 LED 단면 온도분포를 계측하기 위한 시편 준비............ 133.2 NP SThM을 위한 실험 구성................................................ 164. 실험 결과 및 토의....................................................................... 194.1 ? 를 실험적으로 구하는 과정에서 Rc 가 일정하게 유지되는 탐침의 동작 범위 결정...................................... 194.2 EQE 그래프를 통한 efficiency droop 현상 관찰............... 274.3 NP SThM을 통한 LED 단면 온도분포 계측 결과.......... 295. 결론................................................................................................. 35참고문헌.............................................................................................. 37
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