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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 전상국
- 발행연도
- 2014
- 저작권
- 인하대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
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볼쯔만 수송 방정식을 전계와 자계가 걸려있는 환경에서 섭동함수를 사용하여 전류밀도를 계산하였다. 홀 실험을 통해 전류밀도의 식을 더 분석해 보았으며, Rotation을 통하여 real sample의 평면에서의 방향과 결정축을 일치시켰고, 타원형의 conduction valley를 결정축과 일치시켰다. 그 다음 타원인 일정 에너지 표면을 Transformation을 통하여 원형의 일정 에너지 표면으로 바꾸어 주었다.
홀 인수는 반도체의 중요한 물리적 성질인 이동도를 구하기 위해 매우 중요하며, 홀 상수는 두 가지의 항으로 나눠진다. 첫 번째 항은 성장방향이나, valley의 방향에는 영향을 받지 않는 일정 에너지 표면에 의해 나타나는 값이고, 두 번째 항은 실제로 타원인 일정 에너지 표면에 의하여 나타나지는 항으로, 성장방향이나 밸리의 방향에 영향을 받는다.
전자는 응력조건과 성장방향에 따라 점유되는 밸리가 달라지며, 평면방향에 압축응력을 받으면 전자는 성장방향과 제일 멀리 떨어진 밸리를 점유하게 되고, 평면방향에 팽창응력을 가하면 전자는 성장방향과 가장 가까운 밸리를 점유한다. 예로 성장방향이 [001]이고, 평면방향으로 압축응력이 작용한다면, 성장방향과 가장 멀리 떨어진 valley인 에 전자가 점유된다. 밸리에 전자가 점유되었을 때 점유된 모든 밸리의 일정 에너지 표면을 모두 동일하다. 이때 타원인 일정 에너지 표면에 의해 나타나는 홀 인수의 항인 은 점유된 valley의 개수에 영향을 받지 않으며, 성장방향과 valley의 방향의 사이각에 영향을 받는다는 것을 알 수 있다.
이 결과는 간접천이대를 가지는 2차원 평면의 모든 구조에 적용가능하며, 어떠한 성장방향이던지, 어떠한 응력조건에서든지 가능하다.
홀 인수는 반도체의 중요한 물리적 성질인 이동도를 구하기 위해 매우 중요하며, 홀 상수는 두 가지의 항으로 나눠진다. 첫 번째 항은 성장방향이나, valley의 방향에는 영향을 받지 않는 일정 에너지 표면에 의해 나타나는 값이고, 두 번째 항은 실제로 타원인 일정 에너지 표면에 의하여 나타나지는 항으로, 성장방향이나 밸리의 방향에 영향을 받는다.
전자는 응력조건과 성장방향에 따라 점유되는 밸리가 달라지며, 평면방향에 압축응력을 받으면 전자는 성장방향과 제일 멀리 떨어진 밸리를 점유하게 되고, 평면방향에 팽창응력을 가하면 전자는 성장방향과 가장 가까운 밸리를 점유한다. 예로 성장방향이 [001]이고, 평면방향으로 압축응력이 작용한다면, 성장방향과 가장 멀리 떨어진 valley인 에 전자가 점유된다. 밸리에 전자가 점유되었을 때 점유된 모든 밸리의 일정 에너지 표면을 모두 동일하다. 이때 타원인 일정 에너지 표면에 의해 나타나는 홀 인수의 항인 은 점유된 valley의 개수에 영향을 받지 않으며, 성장방향과 valley의 방향의 사이각에 영향을 받는다는 것을 알 수 있다.
이 결과는 간접천이대를 가지는 2차원 평면의 모든 구조에 적용가능하며, 어떠한 성장방향이던지, 어떠한 응력조건에서든지 가능하다.
목차
1. 서론 12. 기본이론 32.1 Boltzmann transport equation 32.2 전류 밀도 52.3 홀효과 실험에서의 홀 이동도, 홀 인수 82.4 Conduction valley의 종류 112.5 Transformation and rotation 132.6 속도와 유효질량 192.7 전도도와 운송자밀도 212.8 홀 이동도, 표류 이동도, 홀 인수 253. 결과 및 고찰 293.1 응력과 성장방향에 따른 점유되는 벨리(valley)와 홀 비 293.2 홀 이동도, 표류 이동도 그리고 홀 인수에 대한 일반적 표현 314. 결론 33참고문헌 34
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