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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

정연호 (금오공과대학교, 금오공과대학교 대학원)

지도교수
장영찬
발행연도
2013
저작권
금오공과대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수3

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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This thesis presents 10-bit 20-MS/s CMOS asynchronous successive approximation register (SAR) analog-to-digital converters (ADCs) with the features of low power consumption and small area. Generally, an asynchronous SAR ADC is an architecture that has the higher conversion rate compared with a synchronous SAR ADC architecture and consumes the lower power compared with a synchronous pipeline ADC architecture.
Firstly, an asynchronous SAR ADC is designed to improve sampling rate a 10-bit 10-MS/s. It consists of a split capacitor-based digital-to-analog converter (SC-DAC), a time-domain comparator, and a SAR logic. By using the structure of split capacitor, the DAC which has an area of large portion in the total area has low power and small area. The time-domain comparator takes a advantage of small variation at offset voltage and noise in comparison with voltage comparator. To achieve high performance of SAR ADC, the comparator has a offset calibration circuit. The designed ADC was implemented by using 0.18-μm CMOS process with 1.8 V supply voltage, the area and power consumption are 0.062 mm2 and 1.27 mW. For the input frequency of 101.12 kHz, the measured SNDR (signal-to-noise and distortion ratio) and ENOB (effective number of bit) are 55.5 dB and 8.9-bit, respectively.
Secondly, a 10-bit 20-MS/s asynchronous SAR ADC is proposed. It consists of a binary weighted DAC, a comparator with a meta-stability detection circuit, and a SAR logic. The proposed meta-stability detection circuit prevents the data conversion error due to the meta-stability in a comparator. The LSB (least significant bit) capacitor in the binary weighted DAC is implemented by using two unit capacitor connected in series. The SAR logic is optimized by using a variable delay line. The designed ADC was fabricated by using 65-nm CMOS process with 1 V supply voltage. The measured SNDR for the input frequency of 101.7 kHz is 56.91 dB and the ENOB is 9.16-bit. The active area and power consumption are 0.0783 mm2 and 0.46 mW, respectively. The FoM (figure of merit) which presents the performance index of the ADC is 43 fJ/conversion-step.

목차

제 1 장 서 론 1
1.1 연구 배경 1
1.2 아날로그/디지털 변환기 4
제 2 장 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 9
2.1 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 기본 개념 9
2.2 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 최근 동향 10
2.3 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 최근 기술 13
2.3.1 디지털/아날로그 변환기 기법 13
2.3.2 저전력 비교기 기술 16
2.3.3 디지털 에러 정정 기술 17
제 3 장 10비트 10-MS/s 비동기 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 19
3.1 설계 사양 19
3.2 전체 구조 20
3.3 회로 설계 21
3.3.1 부트스트랩 스위치 21
3.3.2 차동 분할-커패시터 기반의 디지털-아날로그 변환기 24
3.3.3 시간-도메인 비교기 28
3.3.4 SAR 로직 33
3.4 칩 제작 및 측정 결과 33
3.5 요 약 39
제 4 장 10비트 20-MS/s 비동기 축차근사형 아날로그/디지털 변환기 41
4.1 설계 사양 41
4.2 전체 구조 42
4.3 회로 설계 43
4.3.1 바이너리 가중치 기반의 디지털-아날로그 변환기 43
4.3.2 준안정성 검출 회로를 가진 비교기 45
4.3.3 SAR 로직 55
4.4 칩 제작 및 측정 결과 59
4.5 요 약 66
제 5 장 결 론 68
[참고 문헌] 69

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