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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김영석.
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 충북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수15
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In this thesis, a 0.5V bandgap voltage reference(BGR) and a 0.8V Beta multiplier voltage reference(BMR) which provide supply and temperature independent bias voltage are proposed. Subthreshold MOSFETs are used and forward body bias is applied to lower the threshold voltage in 0.5V BGR. The propsed 0.5V BGR is designed with a standard 0.18μm TSMC CMOS technology. The simulation results show that the reference voltage is about 200mV. The simulated temperature coefficient is 35.9ppm/C for ?20℃≤T≤100℃. The 0.8V BMR is compensating the PTAT current with the CTAT current obtained from the gate-source voltage in a subthreshold region divided by the resistor. The 0.8V BMR designed with a standard 0.11μm CMOS technology, generates a reference voltage of 200mV. The simulated temperature coefficient is 65.8ppm/C in ?20℃≤T≤100℃.
목차
Ⅰ. 서 론 1Ⅱ. 기존의 기준 전압 회로 32.1 CTAT 전류 생성 32.2 PTAT 전류 생성 52.3 기존의 기준 전압 회로 72.3.1 밴드갭 기준 전압 회로 72.3.2 저전압 밴드갭 기준 전압 회로 112.4 배타멀티플라이어 기준 전압 발생회로 13Ⅲ. 제안된 저 전압 CMOS 기준 전압 회로 163.1 0.5V 밴드갭 기준 전압 발생 회로 163.1.1 Subthreshold에서 동작하는 MOSFET 163.1.2 문턱전압을 낮추기 위한 생성 회로 설계 173.1.3 스타트-업 회로 설계 203.1.4 차동증폭기 설계 233.1.5 0.5V 밴드갭 기준 전압 회로 243.2 0.8V 베타멀티플라이어 기준 전압 회로 29Ⅳ. 결 론 33참고문헌 35
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