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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 이종용
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 한남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수0
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2013
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양전자 소멸분광법를 이용하여 p형, n형 실리콘의 미세 결함 특성을 연구 하였다. 양전자는 공공 타입(vacancy-type)의 결함을 민감하게 검출할 수 있는 유일한 탐침으로 알려져 있다. 양전자 수명 측정 장치에서 나타나는 양전자의 수명은(open volume) 결함의 크기와 비례하며, 각 수명 성분의 비율은 결함 농도와 비례한다.
목차
제 1장 서론 1제 2장 이론 42.1. 양전자의 생성과 소멸 42.2. 양전자를 이용한 측정방법 142.2.1. 양전자의 수명측정 142.2.2. 전자의 운동량 측정 182.2.3. 동시계수 도플러 넓어짐 측정법(CDBPAS) 23제 3장 실험 26제 4장 결과 및 토의 284.1. SRIM simulations 284.2. CDB Results 294.3. Positron lifetime Results 30제 5장 결론 33참고문헌 35
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