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여러 온도에서 VO₂ 박막의 바나듐 (V) 원자 주위의 한곳 구조적인 특성을 바나듐 K 흡수 문턱에서 측정한 엑샆스 측정을 이용하여 정량적으로 규명하였다. VO₂ 박막은 DC 스퍼터링 증착 기법을 이용하여 증착하였다. 엑샆스 분석에서 모델 의존성을 배제하기 위하여 모든 온도의 데이터 분석에 M1-, M2- 그리고 R-상 모델을 모두 적용하여 분석하였다. 엑샆스는 비록 낮은 온도와 높은 온도에서는 M1과 R 상이 각각 우세하지만, VO₂ 가 40 <sup>◦</sup>C – 100 <sup>◦</sup>C의 넓은 온도 영역에서 M2 상을 갖는다는 것을 밝혔다. 이 결과는 기존에 관찰된 것과는 다소 다른 결과이다.
목차
I. 소개
II. 실험
III. 결과 및 논의
REFERENCES
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