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본 연구에서는 아연을 촉매로 사용하여 형성된 산화 실리콘(SiOχ) 나노와이어의 광역 광 발광 특성을 보고한다. SiOχ 나노와이어는 Si 기판에 증착된 아연 (Zn) 막을 약 380℃의 저온에서 실리콘과 산소 플라즈마에 노출하여 형성하였으며, 그 후 형성된 나노와이어를 1100℃의 고온에서 열처리 하였다. 열처리된 SiOχ 나노와이어는 파장의 범위가 약 350 900㎚인 포토루미네슨스 (PL) 스펙트럼을 나타내었으며, 이는 SiOχ 나노와이어에 산화아연 (ZnO)과 실리콘 나노결정 입자가 포함되어 나타나는 결과로 이해되었다.
목차
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. SUMMARY
REFERENCES
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