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Ga과 Al의 혼합소스로 채워진 흑연 보트와 성장 영역과 소스 영역을 결합하는 반응관을 사용한 혼합
소스 수소화물 기상 에피택시 (hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 방법에 의해 마이크로 AlN 구를 성장시켰다. 고안된 반응관은 1150 ℃의 고온에서 소스 영역과 성장 영역을 이웃시킴으로써 합성을 위한 반응 거리를 줄이고, 석영과 AlCl 기체 사이의 반응을 최소화하기 위해 설계하였다. 마이크로 AlN구의 특성은 주사 전자 현미경 (FE-SEM), X선 회절 스펙트럼 그리고 라만 스펙트럼과 전계방사형 투과전자현미경 (FE-TEM)을 이용하여 분석하였다. 마이크로 AlN 구의 성장 과정에서 혼합 소스 내 Ga의 역할을 조사하였으며, 마이크로 AlN 구의 성장 원리를 제안하였다.
소스 수소화물 기상 에피택시 (hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 방법에 의해 마이크로 AlN 구를 성장시켰다. 고안된 반응관은 1150 ℃의 고온에서 소스 영역과 성장 영역을 이웃시킴으로써 합성을 위한 반응 거리를 줄이고, 석영과 AlCl 기체 사이의 반응을 최소화하기 위해 설계하였다. 마이크로 AlN구의 특성은 주사 전자 현미경 (FE-SEM), X선 회절 스펙트럼 그리고 라만 스펙트럼과 전계방사형 투과전자현미경 (FE-TEM)을 이용하여 분석하였다. 마이크로 AlN 구의 성장 과정에서 혼합 소스 내 Ga의 역할을 조사하였으며, 마이크로 AlN 구의 성장 원리를 제안하였다.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 논의
Ⅳ. 결 론
REFERENCES
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