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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.2
- 수록면
- 101 - 107 (7page)
- DOI
- 10.14801/jkiit.2025.23.2.101
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본 논문에서는 결함 마이크로스트립 구조 공진기(DMSR, Defected Microstrip Structure Resonator)에 바랙터 다이오드를 적용하여 공진 주파수를 제어하는 방법을 제안하였다. DMSR은 슬롯을 에칭하여 결함 구조를 갖는 마이크로스트립 전송선의 형태를 가지며, 에칭된 슬롯에 의해 마이크로스트립 전송선의 커패시턴스, 인덕턴스가 변화되어 부가적인 회로 소자를 추가하지 않아도 공진하는 특성을 갖는다. DMSR의 공진 주파수는 결함 구조에 의해 형성된 갭 커패시턴스에 의해 결정되므로, 바랙터 다이오드를 이용하여 캡 커패시턴스를 제어함으로써 공진 주파수를 가변할 수 있는 DMSR을 제안하였다. 제안된 DMSR을 제작하여 실험한 결과 바랙터 다이오드의 역방향 바이어스 전압이 0V에서 4V까지 변화함에 따라 공진 주파수가 0.42GHz 변화하는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. T형 DMSR 설계
바랙터 다이오드를 적용한 주파수 가변형 설계 및 구현결과
Ⅳ. 결론
References
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