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본 연구에서는 자발적 반데르발스 에피탁시 (spontaneous van der Waals epitaxy) 로 Al₂O₃ 위에 성장한 층상형 칼코게나이드 Bi-Sb-Te (BST) 박막에서 관찰되는 일정한 in-plane 정렬이 일어나는 원인을 규명하고 2 차원 박막의 인위적인 구조조작을 통해 구조-물성 상관관계를 조사하였다. 2 차원 칼코게나이드 BST 박막과 3차원 Al₂O₃ 기판과의 이종 계면은 반데르발스 결합이 존재함에도 불구하고 2차원 박막의 a−b plane 격자 정렬이 특정한 기판 배향에 맞추어 성장하게 되는데 이러한 특성은 기판과 박막 사이의 반데르발스 이종계면에 존재하는 Te단원자층들 간의 원자 정렬과 표면 형상의 영향으로 구조적으로 잘 맞물리는 층 쌓기 (stacking) 에 의해 발생하는 것으로 확인되었다. 또한, 칼코게나이드 박막의 성장을 제어함으로써 층상형 pnictogen chalcogenide 결정구조내에 존재하는 BST quintet들 간의 반데르발스 계면 변화를 유도하여 c−축 격자 크기를 선택적으로 조절할 수 있었다.
목차
I.서론
II.실험
III. 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES
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