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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.24 No.6
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 556 - 564 (9page)
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This article presents a novel passive direct binary amplitude modulator (AM) integrated with two frequency multipliers (FMs) and a drive amplifier. Both FMs are composed of a harmonic generator and a modified cascode buffer, along with an additional single-to-differential amplifier added in front of the first FM. The input frequency band (1.5–1.75 GHz) is up-converted to the intermediate frequency band of 4–5 GHz by the first FM, while the second FM up-converts the IF band to the target millimeter wave band of 24–28 GHz. Furthermore, the mm-wave amplitude is directly modulated by a capacitor ladder whose ratio is digitally programmable. This unique capacitor-ladder structure AM is employed to attain uniformly distributed constellation points and improve the output signal-to-noise ratio. The proposed modulator is fabricated on a 65-nm CMOS with a die size of 0.73 mm 2. When applying the modulator to I/Q paths, 1.33% error vector magnitude for 256-QAM was measured at 26 GHz.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. TOPOLOGY AND CIRCUIT DESIGN
III. CHIP FABRICATION AND TEST
IV. COMPARISON AND CONCLUSION
REFERENCES
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