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저자정보
Umar Jamil (Chungnam National University) Dongho Han (Chungnam National University) Jaehye ong Lee (Chungnam National University) Jonghoon Kim (Chungnam National University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2023-ECCE Asia
발행연도
2023.5
수록면
1,998 - 2,003 (6page)

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To examine the contact behavior, Tin (Sn) electrodes are fabricated on an n-InGaAsP (1000 nm)/InP (50μm) stack by physical vapor deposition (PVD) technique with sizes of 10 nm and 50 nm. The study of current-voltage (I-V) behavior is applied in forward and revere biasing voltage of - 5 V to + 5 V in an in-situ temperature ranges of 300 K to 350 K. To gauge the electrical and transport properties of the device, Ohmic and Schottky behavior in line with barrier height, Richardson constant, conductance and resistances are thoroughly examined. It observed that a maximum forward current of 3.25 mA is achieved at 0.8 V for 340 K in a 10nm- Sn-InGaAsP stack. In reverse mode, the 50nm-Sn-InGaAsP stack maximum current is measured at 310 K of 3.20 mA for 0.9 V. The contact resistance for 10-nm and 50-nm Sn contact was approximately 4.96x10<SUP>-5</SUP> Ω-cm<SUP>−2</SUP> and 2.6x10<SUP>-6</SUP> Ω-cm<SUP>−2</SUP> respectively.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTATION SETUP
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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