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Zhikang Yang (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry) Lin Wen (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry) Yudong Li (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry) Dong Zhou (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry) Xin Wang (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry) Rui Ding (China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute) Meiqing Zhong (Tsinghua University) Cui Meng (Tsinghua University) Wenxiao Fang (China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute) Qi Guo (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.24 No.2
발행연도
2024.3
수록면
151 - 160 (10page)

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With the electromagnetic environment becoming increasingly complex, it is crucial to address the risk posed by electromagnetic pulse, which critically impairs the performance and reliability of electronic systems based on complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensors. In this context, research on the failure types of CMOS image sensors in a high-power electromagnetic environment, caused by strong electromagnetic pulses and the rapid evaluation method of interference immunity, has garnered significant interest. This paper conducts electromagnetic pulse simulation experiments on CMOS image sensors to first study their failure types, such as image abnormalities and functional interruption, and then identify the corresponding failure criteria. Furthermore, this study builds on the small sample test evaluation method to investigate the interference threshold of functional interruptions in CMOS image sensors by calculating the failure probability at different field strengths. The obtained data were combined with the Weibull distribution function for fitting, the results of which found the interference threshold to be at 40.4 kV/m. The findings of this study provide a basis for evaluating the survivability of CMOS image sensors and their associated reinforcement technology in high-power electromagnetic environments.
#CMOS Image Sensor #Electromagnetic Pulse #Failure Type #Interference Threshold

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENT DESCRIPTION
III. RESULTS
IV. CONCLUSION
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