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강유전체 박막을 센서나 전자 소자로 사용하기 위해서 강유전체 박막에 다양한 DC 바이어스 전압조건에 따른 누설 전류 변화를 측정하고, 누설 전류에 기여하는 기구를 이해하는 것은 매우 중요하다. 본 연구는 활발하게 연구된 무연계 강유전체 물질 중 하나인 SrBi₂Ta₂O<SUB>9</SUB> (SBT) 박막의 전기장 인가 및 온도변화에 따른 누설전류 특성을 측정하고 전도 모형과 쇼트키 장벽 높이, 덫 중심 준위와 활성화 에너지에 관하여 연구한 결과이다. Bi/Sr 조성비가 2.8인 SBT 박막의 전류-전압 특성은 인가 전기장이 80 kV/cm 이하에서는 누설 전류가 지연시간에 강하게 의존하는 저항성 전류 특성을 나타내었다. 150℃이하에서 SBT 박막은 인가 전기장 80-200 kV/cm에서 쇼트키 방출 전도 모형과 일치하는 선형적인 전류-전압 특성을 나타내었으며 쇼트키 장벽 높이와 덫 중심 준위는 각각 1.02 eV, 0.83 eV이었다. 이 현상은 Bi 이온이 받개 (acceptor) 형태로 전하 운반자 역할을 하였기 때문이다. 인가전압 3 V, 150℃이하에서 Bi/Sr 조성비 2.8인 SBT 박막은 지연시간 100초일 때 활성화 에너지 (activation energy)가 0.72 eV, 0.58 eV이었다.
목차
I. 서론
II. 실험 방법
III. 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES
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