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노태림 (부산대학교) 강동휘 (부산대학교) 김형준 (부산대학교) 김수현 (부산대학교) 이옥구 (부산대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2023.11
수록면
313 - 316 (4page)

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This paper presents a broadband low noise amplifier(LNA) that can be implemented as onchip in FR1 band for next-generation 5G wireless mobile communication. Broadband characteristic is obtained through dual resonance of 1st stage and inter-stage without additional inductor and capacitor and broadband high order LC output matching. In the case of double resonance, the short/open of each stage impedance changes for each frequency band and resonates. Then S(1,1) is less than -10 dB in the operating area. In the case of broadband high order LC output matching, the existing LC filter is modified to as a high order. Simulated result of the proposed LNA represents 2.38~5.12 GHz bandwidth, 26.8 dB peak gain. And Noise Figure is 0.88~2.86 dB, OP1dB is 2.95 dBm at 4.25 GHz and IIP3 is -12.1 dBm at 3.25 GHz. It was confirmed that it has a gain of more than 20 dB in the operating band of the FR1 band and operates as a broadband.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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