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박진혁 (동국대학교) 송정수 (동국대학교) 여정은 (동국대학교) 이인화 (동국대학교) 조한성 (동국대학교) 홍진우 (동국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2023.11
수록면
304 - 307 (4page)

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Due to the limitations of Moore"s Law, scaling down components in traditional CMOS processing and von Neumann architecture has gradually approached its constraints. Notably, Neuromorphic computing technology, which seeks to emulate the human brain, has gained significant attention. In this study, we have fabricated a two-terminal device which is based on Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) thin films and is known as a Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ). After device fabrication, we conducted P-V and I-V measurements to assess ferroelectric and memory properties. Then we evaluated the crystalline structure of HZO thin films through XRD analysis. Finally, we successfully implemented Synaptic Functions by applying pulse input.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
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