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조승준 (광운대학교) 이도현 (광운대학교) 박하민 (광운대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2023.11
수록면
292 - 295 (4page)

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As the integration density of conventional 1T-1C DRAM has reached its limits, a new 1T-DRAM structure for higher integration density has been proposed. In this paper, we propose a new 1TDRAM device structure based on the punch-through path control utilizing band-to-band tunneling, and validate the DRAM operation of this structure through TCAD simulation.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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