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Hyunkyung Lee (Pusan National University) Hyeonseop Lee (Pusan National University) Daehyeon Kim (Pusan National University) Jinho Jeon (Pusan National University) Choongyu Hwang (Pusan National University) Sungkyun Park (Pusan National University) Jong Mok Ok (Pusan National University) Kanghyun Kim (Samsung Display) Songkil Kim (Pusan National University) Haeyong Kang (Pusan National University)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제74권 제1호
발행연도
2024.1
수록면
8 - 16 (9page)

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To fabricate large-area graphene transistors, the transfer of chemical vapor-deposited grapheme onto preferred substrates and the patterning of drain/source electrodes are necessary. However, these transfer and deposition processes commonly employ polymers such as poly(methyl methacrylate) and photoresists, which can leave residual polymers and adsorbed molecules on the channel, thus affecting the electrical properties of the devices. In this study, we investigated the effects of heat treatment on the device characteristics related to the polymer residues and adsorbates on graphene surface by analyzing the transfer curves. Our findings demonstrate that proper vacuum annealing can enhance the device’s performance and reduce contact resistance. Moreover, we propose an advanced procedure that incorporates thermal annealing under vacuum after each step of polymer removal. This method is particularly beneficial for enhancing the contact and surface properties of channels in general fabrication processes involving polymers.

목차

I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL METHODS
III. DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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