지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.12
- 수록면
- 400 - 410 (11page)
- DOI
- 10.33162/JAR.2023.12.23.4.400
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Purpose: This study aims to organize systematically, in chronological order, the methods and test conditions utilized for the lifetime assessment of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) within the reliability criteria, as discussed in various research literature.
Methods: Firstly, the study examines the structure and degradation causes of GaN HEMTs, detailing methods that have enhanced their reliability. It then introduces stress factors crucial for a life test and categorizes approaches found in the literature for assessing device lifetimes, comparing each test condition and result using a graph.
Results: Across the literature, temperature-accelerated stress tests were predominant for deriving the mean time to failure (MTTF), commonly applying the Arrhenius model. On average, less than 20 samples are used, with a test duration of approximately 2000 hours and a test channel temperature above 150 degrees Celsius. Consequently, the activation energy (Ea) exceeds 1 eV, estimating the MTTF to be over 105 hours.
Conclusion: In radio frequency (RF) applications, GaN HEMTs, when considering degradation causes, are suitably evaluated for lifetime using the RF method to simulate real-world environments while applying stress due to voltage and temperature. Accordingly, a future consensus on an integrated approach to lifetime evaluation for these devices is needed.
Methods: Firstly, the study examines the structure and degradation causes of GaN HEMTs, detailing methods that have enhanced their reliability. It then introduces stress factors crucial for a life test and categorizes approaches found in the literature for assessing device lifetimes, comparing each test condition and result using a graph.
Results: Across the literature, temperature-accelerated stress tests were predominant for deriving the mean time to failure (MTTF), commonly applying the Arrhenius model. On average, less than 20 samples are used, with a test duration of approximately 2000 hours and a test channel temperature above 150 degrees Celsius. Consequently, the activation energy (Ea) exceeds 1 eV, estimating the MTTF to be over 105 hours.
Conclusion: In radio frequency (RF) applications, GaN HEMTs, when considering degradation causes, are suitably evaluated for lifetime using the RF method to simulate real-world environments while applying stress due to voltage and temperature. Accordingly, a future consensus on an integrated approach to lifetime evaluation for these devices is needed.
목차
1. 서론
2. GaN HETM의 신뢰성을 위한 수명평가
3. 결론
References
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
GaN HEMT RF 소자의 직접냉각
대한기계학회 춘추학술대회
2023 .04
-
전력변환용 GaN HEMT 소자의 수명예측을 위한 junction temperature 추정기술
대한전기학회 학술대회 논문집
2020 .10
-
650V급 Cascode GaN HEMT와 E-Mode GaN HEMT의 단락 성능 비교 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
GaN HEMT를 적용한 300W급 무선전력전송 시스템 구현
전력전자학회 학술대회 논문집
2018 .07
-
GaN E-HEMT for the next era of power conversion
전력전자학회 학술대회 논문집
2017 .07
-
GaN HEMT 전력 반도체 소자에 적합한 단락보호 방법 분석
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
2021 .11
-
GaN HEMT를 적용한 고효율, 고신뢰성 듀얼 벅 인버터에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2018 .07
-
GaN-HEMT를 적용한 부스트 컨버터의 손실 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2023 .07
-
GaN HEMT 공정의 온도 센서를 이용한 주변 온도에 따른 전류 변화량 측정
한국통신학회 학술대회논문집
2023 .02
-
GaN HEMT를 이용한 L-S 대역 120 W 고출력 전력 증폭기 설계
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
Cascode GaN HEMT를 적용한 위상 천이 dc-dc 컨버터의 구현 및 문제점 분석
전력전자학회논문지
2015 .12
-
저전력 시스템에서 GaN HEMT와 Si MOSFET의 전력 손실 분석
한국산학기술학회 논문지
2022 .09
-
GaN HEMT 기반 3kW급 태양광 인버터 개발
전력전자학회 학술대회 논문집
2020 .11
-
InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
50W 출력전력 특성을 갖는 0.25μm GaN-on-SiC HEMT
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
Time- and Temperature-dependent Degradation of p-GaN Gate HEMTs under Forward Gate Voltage Stress
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2023 .12
-
GaAs PHEMT 소자에 대한 RF-수명과 가속 조건에 따른 DC-수명 간의 상관관계 연구
신뢰성응용연구
2024 .09
-
GaN HEMT 종류에 따른 단락 시 위상레그 전압 비교 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2023 .07
-
GaN HEMT RF 소자의 열관리를 위한 매니폴드 마이크로 채널 히트 싱크 구조의 열 및 유동 특성 분석
대한기계학회 춘추학술대회
2023 .04
-
X-밴드 응용분야를 위한 GaN HEMT 모델링
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-151-24-02-089290437