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학술대회자료
저자정보
김자영 (한국항공대학교) 황진영 (한국항공대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
651 - 654 (4page)

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This study proposes a near-infrared (NIR) phototransistor utilizing a feedback field effect transistor (FBFET). The device features a pnpn structure comprising a p-type Si drain, n-type Si channel1, p-type SiGe channel2, and n-type Si source, and channel2 absorbs NIR light with a wavelength range of 1200 nm to 1700 nm. The light absorption in channel 2 generates an open circuit voltage, which leads to positive feedback and facilitates steep switching behavior. To further enhance the NIR absorption in channel2, the phototransistors are arranged in a 2-D array, forming a metasurface that concentrates NIR light in the SiGe absorption layer at resonance. In addition, the metasurface is designed to be polarization-sensitive by adopting the asymmetric geometry of the phototransistors that function as metaatoms. The proposed NIR phototransistor demonstrates a high on/off current ratio and low dark current.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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