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최진영 (호서대학교) 조규남 (호서대학교) 윤원상 (호서대학교) 채상훈 (호서대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제21권 제6호(JKIIT, Vol.21, No.6)
발행연도
2023.6
수록면
67 - 73 (7page)
DOI
10.14801/jkiit.2023.21.6.67

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본 논문에서는 PIN 다이오드의 패키지 구조 및 재질에 따른 기생 성분의 차이와 이로 인한 PIN 다이오드의 전기적 특성의 변화에 대해 분석한 결과를 기술하였다. PIN 다이오드는 전력 제한기를 구성하는 핵심 소자이며, 일반적으로 낮은 삽입손실 특성이 요구된다. 하지만, PIN 다이오드 칩을 패키징할 때 발생하는 기생 커패시턴스에 의해 삽입손실 특성이 저하된다. 패드의 구조와 기판의 유전율이 서로 다른 3종류의 패키지를 제안하고, 각 패키지에서 기생 성분의 차이가 발생하는 것을 시뮬레이션과 실험 결과를 통해 제시하였다. 제작된 PIN 다이오드의 기생 커패시턴스 값은 75.825~127.259 fF로 나타났으며, PIN 다이오드의 기생 커패시턴스 값과 전력 제한기의 삽입손실이 비례하는 것을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 패키지 구조에 따른 기생성분 분석
Ⅲ. 다이오드 구현 및 전기적 특성 측정
Ⅳ. 결론
References

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