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저자정보
박종진 (성균관대학교) 임원섭 (한국전기연구원) 양영구 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제34권 제5호(통권 제312호)
발행연도
2023.5
수록면
354 - 362 (9page)

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본 논문에서는 전압체배기 구조를 이용한 5.8 ㎓ GaN HEMT F급 정류기에 대한 설계 및 측정결과를 제시한다. 제안된 정류기는 높은 출력 dc 전압 특성을 위해 전압체배기를 사용했고, 고효율 특성 확보를 위해 입력 정합회로에 3차 고조파 임피던스를 개방시키는 기법을 적용했다. 높은 항복전압과 넓은 밴드갭 특성을 갖는 GaN HEMT bare-chip을 다이오드로 사용했고, 이는 높은 입력전력에서 안정적인 동작을 할 수 있다는 장점이 있다. Bare-chip을 PCB와 전기적으로 연결하는 방식을 4가지 제안했고, 최적의 전기적 연결 방식의 검증을 위해 제작 및 측정을 진행했다. 제작된 정류기는 입력 RF 전력 32 ㏈m과 부하저항 1,000 Ω 기준 모든 방식에서 55 % 이상의 RF-dc 변환 효율과 직렬과 병렬 다이오드의 음극을 본드 와이어로, 병렬 다이오드의 양극을 through-wafer via로 PCB와 연결한 회로에서 69 %의 최대 효율을 얻었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 제작 및 측정결과
Ⅳ. 결론
References

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