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저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.2 No.4
발행연도
2015.2
수록면
1 - 7 (7page)
DOI
10.1186/s40580-014-0033-3

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We report the fabrication and electrical characterization of a wafer-scale array of organic complementary inverters using single-crystal 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-PEN) and fullerene (C 60 ) nanowires as p - and n -channels, respectively. Two arrays of single-crystal organic nanowires were generated consecutively on desired locations of a common substrate with a desired mutual alignment by a direct printing method (liquid-bridge-mediated nanotransfer molding). Another direct printing of silver micron scale structures, as source and drain electrodes, on the substrate with the two printed nanowire arrays produced an array of complementary inverters with a bottom gate, top contact configuration. Field-effect mobilities of single-crystal TIPS-PEN and C 60 nanowire field-effect transistors (FETs) in the arrays were uniform with 1.01?±?0.14 and 0.10?±?0.01 cm 2 V ?1 s ?1 , respectively. A wafer-scale array of complementary inverters produced all by the direct printing method showed good performance with an average gain of 25 and with low variations among the inverters.
#We report the fabrication and electrical characterization of a wafer-scale array of organic complementary inverters using single-crystal 6 #13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-PEN) and fullerene (C 60 ) nanowires as p - and n -channels #respectively. Two arrays of single-crystal organic nanowires were generated consecutively on desired locations of a common substrate with a desired mutual alignment by a direct printing method (liquid-bridge-mediated nanotransfer molding). Another direct printing of silver micron scale structures #as source and drain electrodes #on the substrate with the two printed nanowire arrays produced an array of complementary inverters with a bottom gate #top contact configuration. Field-effect mobilities of single-crystal TIPS-PEN and C 60 nanowire field-effect transistors (FETs) in the arrays were uniform with 1.01?±?0.14 and 0.10?±?0.01 cm 2 V ?1 s ?1 #respectively. A wafer-scale array of complementary inverters produced all by the direct printing method showed good performance with an average gain of 25 and with low variations among the inverters.

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H Sirringhaus / 2009 / Materials and applications for solution-processed organic field-effect transistors / Proc. IEEE 97:1570 google schola P Lin / 2012 / Organic thin-film transistors for chemical and biological sensing / Adv. Mater. 24:34 google schola L Zhang / 2010 / Solution processed organic field-effect transistors and their application in printed logic circuits / J. Mater. Chem. 20:7059 google schola T Someya / 2010 / Chemical and physical sensing by organic field-effect transistors and related devices / Adv. Mater. 22:3799 google schola HY Li / 2012 / High-mobility field-effect transistors from large-area solution-grown aligned C60 single crystals / J. Am. Chem. Soc. 134:2760 google schola

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