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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김기래 (신라대학교)
저널정보
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제9권 제11호
발행연도
2014.12
수록면
1,215 - 1,220 (6page)

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본 논문은 GaAs MESFET를 이용하여 X-band 레이더용 국부발진기를 설계 및 제작하였다. GaAs MESFET는 매우 낮은 저잡음특성과 높은 전자이동도를 가지기 때문에 초고주파용 저잡음 발진기에 적합하다. 본 논문의 발진기 설계 방법은 RF 공진기를 사용하지 않고 능동소자의 부성저항 특성과 임피던스 정합법에 의해 이루어진다. 따라서 RF 공진기가 차지하는 면적을 줄일 수 있고 MMIC화가 가능하여 발진기의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다. 설계된 발진기는 중심주파수 10.545 GHz에서 출력 2.30 dBm을 나타낸다.
#X-밴드 #RF 회로 #발진기 #부성저항 #GaAs MESFET #X-Band #RF Circuit #Oscillator #Negative Resistance #GaAs MESFET

목차

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참고문헌 (9)

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Barton / 1969 / Handbook of Radar Measurements / Prentice Hall google schola S. A. Hovanessian / 1984 / Radar System Design and Analysis / Artech House Inc google schola J. Kim / 2000 / Development of a Microwave Level Meter Using YIG-VCO for Industrial Process / The J. of Korea Electromagnetic Engineering Society 11(1):18~25 google schola A. Stove / 1991 / Obstacle detection radar for car / Electronics & Communication Engineering J. 3(5):232~240 google schola A. Madjar / 1986 / A large-signal Model for the GaAs MESFET / IEEE Trans. Microwave Theory and Tech MTT-34(10):1059~1063 google schola

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