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저자정보
Seung-Keun Oh (MPNICS Co.) Sang Do Kang (MPNICS Co.) 김영만 (전남대학교) 박순섭 (한국생산기술연구원)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제17권 제7호
발행연도
2016.7
수록면
763 - 767 (5page)

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The structural characterization of cubic boron nitride (c-BN) thin films was performed using a B4C target in a radio-frequencymagnetron sputtering system. The deposition processing conditions, including the substrate bias voltage, substratetemperature, and base pressure were varied. Fourier-transform infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopywere used to analyze the crystal structures and chemical binding energy of the films. For the BN film deposited at roomtemperature, c-BN was formed in the substrate bias voltage range of ?400 V to ?600 V. Less c-BN fraction was observed asthe deposition temperature increased, and more c-BN fraction was observed as the base pressure increased.

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