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자료유형
학술저널
저자정보
조용범 (가천대학교) 유은선 (가천대학교) 조성재 (가천대학교)
저널정보
한국과학기술원 정보전자연구소 IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems Vol.3 No.3
발행연도
2017.7
수록면
13 - 19 (7page)

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A high-hole-mobility transistor (HHMT) with an intrinsic Ge channel is optimally designed and its DC and high-frequency performances are investigated by technology computer-aided design (TCAD) simulation. An HHMT with a Ge channel and AlGaAs barrier on the Si substrate is characterized with a particular interest in the barrier design. More specifically, barrier doping concentration, total barrier thickness, and high-doped barrier thickness are considered as the critical design variables. A permissibly optimized device demonstrates cut-off frequency (fT) of 20 GHz and maximum oscillation frequency (fmax) of 80 GHz at a channel length of 90 nm. The Ge HHMT with an AlGaAs barrier has the potential to be a component in the heterogeneously integrated monolithic circuits made of Si, group-IV alloys, and III-V compound semiconductors where electronic and optical devices can be simultaneously integrated with enhanced device performances.

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C. Claeys / 2007 / Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices / Elsevier :309 google schola Process Integration, Devices, and Structures (PIDS) Chapter, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) google schola P. Zimmerman / 2006 / High performance Ge pMOS devices using a Si-compatible process flow / IEDM Tech. Dig. :1~4 google schola S. Takagi / 2013 / High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels / IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) google schola R. Zhang / 2012 / High-Mobility Ge PMOSFET With 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation / IEEE Transactions on Electron Devices 59(12):335~341 google schola

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