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저자정보
Rashmi Chawla (Deenbandhu University of Science and Technology) Poonam Singhal (Deenbandhu University of Science and Technology) Amit Kumar Garg (Deenbandhu University of Science and Technology)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제5호
발행연도
2021.10
수록면
659 - 665 (7page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-020-00281-1

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Silicon (Si) junctionless solar Photo Voltaic Cells (PVCs) with semiconducting carrier selective blocking layer can modify output efficiency of solar cell. In this research work, we have proposed use of both electron?hole selective layer in Si solar cell with SILVACO simulation. This paper simulates and evaluates two possible electron-selective oxides (TiO2 and ZnO) and two possible hole-selective oxides (CuAlO2 and NiO). The results in terms of solar performance metric is compared and further TiO2 and NiO as carrier selective layers are proposed. The simulation results suggest the fermi level pinning on the device as a reason for increase in output efficiency. This research work comprehends a considerable understanding to band-engineer selective contact semiconducting oxide Si junctionless solar cell device. The performance parameters with Jsc = 10.08 mA/cm 2 , Voc = 2.69 V, fi ll factor (FF) = 99.8% and conversion efficiency of 27.09% (1 sun) are obtained underAM1.5G illumination.

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