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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 276 - 281 (6page)
- DOI
- 10.6111/JKCGCT.2021.31.6.276
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반도체 회로를 제조하기 위해서 에칭, 세척, 증착 등의 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서 이러한 공정이 진행되면 진공장비 내부는 부식성이 높은 가혹한 플라즈마 환경에 노출되게 된다. 따라서 반도체 공정 장비의 내부를 플라즈마 노출에 강한 재료를 사용하여 코팅층의 에칭과 오염 입자의 생성을 최소화하여야 한다. 본 연구에서는 고상합성법에 의해 Y2O3와 YF3 분말을 원료물질로 옥시불화이트륨(YOF)를 성공적으로 합성하였다. Y2O3와 YF3 분말의 혼합비율은 1.0:1.0에서 1.0:1.6까지 조절하였으며, 혼합비율이 합성된 YOF 분말의 결정구조와 미세구조에 미치는 영향을 XRD와 FESEM으로 조사하였다. 합성된 YOF 분말을 이용하여 알루미늄 기판에 플라즈마 스프레이법으로 성공적으로 코팅하였다
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참고문헌 (15)
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M. Schaepkens / 1998 / Influence of reactor wall conditions on etch processes in inductively coupled fluorocarbon plasmas / J. Vac. Sci. Technol. A Vac. Surf. Films 16:2099
H. Fukumoto / 2009 / Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2 / Plasma Sour. Sci. Technol 18:045027
L. Tezani / 2014 / Chemistry studies of SF6/CF4, SF6/O2 and CF4/O2 gas phase during hollow cathode reactive ion etching plasma / Vacuum 106:64
N. Ito / 2008 / Reduction of particle contamination in plasma-etching equipment by dehydration of chamber wall / Jpn. J. Appl. Phys 47:3630
M. Blain / 1994 / Particle beh aviour in an e lectron cyclotron resonance plasma etch tool / Plasma Sour. Sci. Technol 3:325
H. Fukumoto / 2009 / Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2 / Plasma Sour. Sci. Technol 18:045027
L. Tezani / 2014 / Chemistry studies of SF6/CF4, SF6/O2 and CF4/O2 gas phase during hollow cathode reactive ion etching plasma / Vacuum 106:64
N. Ito / 2008 / Reduction of particle contamination in plasma-etching equipment by dehydration of chamber wall / Jpn. J. Appl. Phys 47:3630
M. Blain / 1994 / Particle beh aviour in an e lectron cyclotron resonance plasma etch tool / Plasma Sour. Sci. Technol 3:325
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