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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.3
- 수록면
- 129 - 134 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.3.129
이용수
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Herein, we report the manufacture of high-performance, ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) andcomplementary-like electronic circuitry based on a blended, polymeric, semiconducting film. Relatively high and wellbalancedelectron and hole mobilities were achieved by incorporating a small amount of ionic additives. The equivalentP-channel and N-channel properties of the ambipolar OFETs enabled the manufacture of complementary-like invertercircuits with a near-ideal switching point, high gain, and good noise margins, via a simple blanket spin-coating processwith no additional patterning of each active P-type and N-type semiconductor layer.
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