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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.8
- 수록면
- 508 - 513 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.508
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자외선 센서는 광 통신, 화재 감지, 미사일 화염 탐지, 천문학, 생물학, 환경연구를 포함한 산업 및 군사분야에 적용되고 있지만, 넓은 밴드갭을 갖는 Schottky junction diodes와 PN-junction diodes를 이용한 자외선 센서의 경우 가격이 높고, 낮은 양자효율을 갖는다는 문제가 있다.
본 논문에서는 공정단가가 낮고, Flexible 기판 상 소자 제작이 용이한 용액공정을 이용하여 자외선 센서 제작이 가능한 재료의 특성연구를 진행하였고, 넓은 밴드갭을 갖는 p-type NiO와 n-type ZnO를 Sol-gel법으로 제조하여 Spin coating 공정 조건 및 열처리 조건에 따른 특성을 비교하였다.
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참고문헌 (20)
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Henrik Fabricius / 1986 / Ultraviolet detectors in thin sputtered ZnO films / Applied Optics 25(16):2764
Hiromichi Ohta / 2004 / Transparent oxide optoelectronics / Materials Today 7(6):42~51
Tae-Hyoung Moon / 2005 / The fabrication and characterization of ZnO UV detector / Applied Surface Science 240(1-4):280~285
M. Razeghi / 1996 / Semiconductor ultraviolet detectors / Journal of Applied Physics 79(10):7433~7473
H. Neumann / 1995 / J. H. Edgar (ed.). Properties of Group III Nitrides. (EMIS Datareviews Series No. 11). INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London 1994. 302 Seiten, 121 Abbildungen, 77 Tabellen. ISBN 0–85296–818–3 / Crystal Research and Technology 30(7):910~910
Hiromichi Ohta / 2004 / Transparent oxide optoelectronics / Materials Today 7(6):42~51
Tae-Hyoung Moon / 2005 / The fabrication and characterization of ZnO UV detector / Applied Surface Science 240(1-4):280~285
M. Razeghi / 1996 / Semiconductor ultraviolet detectors / Journal of Applied Physics 79(10):7433~7473
H. Neumann / 1995 / J. H. Edgar (ed.). Properties of Group III Nitrides. (EMIS Datareviews Series No. 11). INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London 1994. 302 Seiten, 121 Abbildungen, 77 Tabellen. ISBN 0–85296–818–3 / Crystal Research and Technology 30(7):910~910
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