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학술저널
저자정보
Vangala Indhrani (Jyothishmathi Institute of Technology and Science) Ashok Kumar Srinivasan (Jyothishmathi Institute of Technology and Science) P. Khobragade Vaishali (Jyothishmathi Institute of Technology and Science)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제4호
발행연도
2022.8
수록면
414 - 418 (5page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-021-00362-9

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In this research paper, design of meminductor modes by using Voltage Diff erence Transconductance Amplifi er (VDTA), an MOS based design is proposed. To achieve the two modes of meminductor, two VDTA elements, capacitors and a resistor are used. Also, the proposed meminductor configuration for both decremental and incremental modes are presented. The layout design of VDTA, simulation and performance are evaluated by using Cadence Virtuoso and Cadence Spectre tool. Furthermore, a neuromorphic circuit is implemented as an application of the meminductor. The theoretical justifi cation of the proposed meminductor modes and its applications i.e., neuromorphic circuit is verified by using Cadence Virtuoso Tool.

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