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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보통신학회JICCE Journal of information and communication convergence engineering Journal of information and communication convergence engineering Vol.13 No.4
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 257 - 263 (7page)
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In this study, organic field-effect transistors (OFETs) using a copper phthalocyanine (CuPc) material as an active layer and SiO₂ as a gate insulator were fabricated with varying active layer thicknesses and channel lengths. Further, using a thermal evaporation method in a high-vacuum system, we fabricated a CuPc FET device of the top-contact type and used Au materials for the source and drain electrodes. In order to discuss the channel formation and FET characteristics, we observed the typical current–voltage characteristics and calculated the threshold voltage of the CuPc FET device. We also found that the capacitance reached approximately 97 pF at a negative applied voltage and increased upon the accumulation of carriers at the interface of the metal and the CuPc material. We observed the typical behavior of a FET when used as an n-channel FET. Moreover, we calculated the threshold voltage to be about 15–20 V at V<SUB>DS</SUB> = –80 V.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE FABRICATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (7)
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[학술지(정기간행물)] - E. Lim / 2006 / Maxwell–Wagner model analysis for the capacitance–voltage characteristics of pentacene field effect transistor / Japanese Journal of Applied Physics 45 (4) : 3712 ~ 3713
[학술지(정기간행물)] - T. Manaka / 2006 / Modulation in optical second harmonic generation signal from channel of pentacene field effect transistors during device operation / Applied Physics Letters 87 (22) : 222107 ~
[학술지(정기간행물)] - T. Manaka / 2006 / Control of the nano electrostatic phenomena at a pentacene/metal interface for improvement of the organic FET devices / Thin Solid Films 499 (1) : 386 ~ 391
[학술지(정기간행물)] - Eunju Lim / 2006 / Analysis of Pentacene FET Characteristics Based on the Maxwell-Wagner Model / Journal of the Korean Physical Society 48 (6) : 1481 ~ 1487
[학술지(정기간행물)] - Zhi-Yuan Cui / 2007 / Effect of Channel Length in LDMOSFET on the Switching Characteristic of CMOS Inverter / Transactions on Electrical and Electronic Materials 8 (1) : 21 ~ 25
[학술지(정기간행물)] - T. Manaka / 2006 / Modulation in optical second harmonic generation signal from channel of pentacene field effect transistors during device operation / Applied Physics Letters 87 (22) : 222107 ~
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