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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
O. Prikhodko N. Almasov N. Korobova (Kazakh National University)
저널정보
한국정보통신학회JICCE Journal of information and communication convergence engineering Journal of information and communication convergence engineering 제9권 제5호
발행연도
2011.10
수록면
587 - 590 (4page)

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The absence of deep traps for electrons in the spectrum of As<SUB>40</SUB>Se<SUB>30</SUB>S<SUB>30</SUB> localized states films obtained by ion sputtering was determined. Bipolar drift of charge carriers was found in amorphous As<SUB>40</SUB>Se<SUB>30</SUB>S<SUB>30</SUB> films of chalcogenide glassy semiconductors, obtained by ion-plasma sputtering of high-frequency, unlike the films of these materials obtained by thermal evaporation.

목차

Abstract
Ⅰ. NTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-004-000411007