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저자정보
송정환 (Korea Advanced Institute of Science and Technology) 공정훈 (Korea Advanced Institute of Science and Technology) 이승용 (Korea Advanced Institute of Science and Technology) 손영일 (Agency for Defense Development) 김도경 (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
한국추진공학회 한국추진공학회지 한국추진공학회지 제26권 제6호(통권 제133호)
발행연도
2022.12
수록면
21 - 27 (7page)
DOI
10.6108/KSPE.2022.26.6.021

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C<SUB>f</SUB>/SiC 복합재는 저밀도, 높은 기계적 강도, 우수한 열 안정성을 가지고 있어 로켓 추진기관, 항공 및 군사 분야 등의 고온 응용 산업에 유망한 재료이다. 그러나 용융 실리콘 함침(Liquid Silicon Infiltration, LSI) 공정을 통해 제작된 복합재는 잔존하는 Si에 의하여 물리적, 열적 특성이 저하된다. 본 논문에서는 LSI 공정을 통해 제작된 C<SUB>f</SUB>/SiC 복합재의 내부 Si을 제거하기 위한 방안으로 탈규소화(de-siliconization) 공정을 도입하였다. 최대 5분 동안 옥시아세틸렌 토치 테스트를 진행하고 시편의 산화된 표면과 단면은 3D scanning, X-ray diffraction(XRD), 광학현미경(OM), 전자주사현미경(SEM)으로 분석하였다.
#C< #SUB> #f< #/SUB> #/SiC Composite(C< #SUB> #f< #/SUB> #/SiC 복합재) #Liquid Silicon Infiltration(용융 실리콘 함침) #De-Siliconization(탈규소화) #Oxidation Resistance(산화 저항성)

목차

ABSTRACT
초록
1. 서론
2. 본론
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

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