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The impact of the amplified spontaneous emission (ASE) on the gain recovery time of a bulk semiconductor optical amplifier (SOA) is investigated. The gain-recovery time is obtained by determining the time evolution of the gain, carrier density, and ASE in an SOA, after the propagation of a short pump pulse and continuous-wave (CW) probe of gain dynamics. In the simulation, a wide-band-semiconductor model, which can be characterized by the material gain coefficient over a wide wavelength range, is used, because the gain bandwidth of a practical SOA is very wide. The pump pulse and counterpropagating CW probe field are considered in the simulation, with the ASE noise spectrum equally divided.
목차
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Theoretical Model and Laser Parameters
Ⅲ. Simulation of the SOA
Ⅳ. Conclusion
References
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
K. Stubkjaer / 2000 / Semiconductor optical amplifier-based alloptical gates for high-speed optical processing / IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 6:1428~1435
F. Ginovart / 2001 / Gain recovery dynamics in semiconductor optical amplifier / Opt. Commun. 199:111~115
R. J. Manning / 1994 / Three-wavelength device for all-optical signal processing / Opt. Lett. 19:889~891
R. J. Manning / 1994 / Recovery rates in semiconductor laser amplifiers: optical and electrical bias dependencies / Electron. Lett. 30:1233~1235
J. L. Pleumeekers / 2002 / Acceleration of gain recovery in semiconductor optical amplifiers by optical injection near transparency wavelength / IEEE Photon. Technol. Lett. 14:12~14
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