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자료유형
학술저널
저자정보
Ha Sul Kim (Chonnam National University)
저널정보
한국광학회 Current Optics and Photonics Current Optics and Photonics Vol.5 No.2
발행연도
2021.4
수록면
129 - 133 (5page)

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This study observed the performance of an InAs/GaSb type-II superlattice photodiode with a p-i-n structure for mid-wavelength infrared detection. The 10 ML InAs/10 ML GaSb type-II superlattice photodiode was grown using molecular beam epitaxy. The cutoff wavelength of the manufactured photodiode with Si₃N₄ passivation on the mesa sidewall was determined to be approximately 5.4 and 5.5 μm at 30 K and 77 K, respectively. At a bias of −50 mV, the dark-current density for the Si₃N<SUB>4-</SUB>passivated diode was measured to be 7.9 × 10<SUP>−5</SUP> and 1.1 × 10<SUP>−4</SUP> A/㎠ at 77 K and 100 K, respectively. The differential resistance-area product R<SUB>d</SUB>A at a bias of −0.15 V was 1481 and 1056 Ω ㎠ at 77 K and 100 K, respectively. The measured detectivity from a blackbody source at 800 K was calculated to be 1.1 × 10<SUP>10</SUP> cm Hz<SUP>1/2</SUP>/W at zero bias and 77 K.
#InAs/GaSb #Infrared detector #Passivation #Superlattice

목차

Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
Ⅲ. CONCLUSION
REFERENCES

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